- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 63/00 - Dispositifs de mémoire par changement de résistance, p.ex. dispositifs RAM résistifs [ReRAM]
Détention brevets de la classe H10B 63/00
Brevets de cette classe: 593
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
128 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
57 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
54 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
49 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
48 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
23 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
22 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
12 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
10 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
9 |
| STMicroelectronics (Crolles 2) SAS | 634 |
9 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 734 |
8 |
| Intel Corporation | 45621 |
7 |
| TetraMem Inc. | 86 |
7 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
6 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
5 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
4 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
4 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
4 |
| IBM United Kingdom Limited | 4467 |
4 |
| Autres propriétaires | 123 |